Silisiumkarbidmedier

100 korn silisiumkarbid Beskrivelse

Silisiumkarbid i halvlederen i eksistensen av hovedformen er som et substratmateriale, basert på dets utmerkede egenskaper, er bruken av silisiumkarbidsubstratets grense ytelse bedre enn silisiumsubstratet, silisiumkarbidsubstratet kan møte høy temperatur, høyt trykk , høyfrekvente, høy effekt og andre betingelser for applikasjonsbehovet, har dagens silisiumkarbidsubstrat blitt brukt på radiofrekvensenheter og kraftenheter.

Hvis du er interessert i våre produkter, kontakt oss nå! Vi kan tilpasse produktene våre etter kundens krav!

120 korn silisiumkarbid spesifikasjon

120 Grit Silicon Carbide leverandører-ZhenAn International

1200 Grit Silicon Carbide Profesjonell leverandør-ZhenAn

180 Grit silisiumkarbidprodusent-ZhenAn International

Fordelene med silisiumkarbidenheter er som følger:

(1)høyspenningsmotstand.Nedbrytningen av elektrisk feltstyrke er stor, 10 ganger den for silisium, med silisiumkarbidenheter kan forberedes for å forbedre spenningsmotstandskapasiteten, driftsfrekvensen og strømtettheten betraktelig, og redusere enhetens ledningstap betydelig. Så i selve søknadsprosessen, sammenlignet med silisiumbasen kan utformes til et mindre volum, omtrent 1/10 av silisiumbaserte enheter.

(2)Høy temperaturmotstand.Halvlederenheter ved høyere temperaturer vil produsere iboende eksitasjon av bærere, noe som resulterer i enhetsfeil. Jo større forbudt båndbredde, desto høyere begrensende driftstemperatur for enheten. Det forbudte båndet av silisiumkarbid er nær tre ganger det for silisium, noe som sikrer påliteligheten til silisiumkarbidenheter som fungerer ved høye temperaturer. Den begrensende driftstemperaturen til silisiumenheter kan generelt ikke overstige 300 grader, mens den begrensende driftstemperaturen til silisiumkarbidenheter kan nå mer enn 600 grader. Samtidig er den termiske ledningsevnen til silisiumkarbid høyere enn silisium, høy termisk ledningsevne hjelper silisiumkarbidenhetens varmeavledning, i samme utgangseffekt for å opprettholde en lavere temperatur, er silisiumkarbidenheten også derfor mindre krevende for utformingen av varme dissipasjon, som bidrar til å oppnå miniatyrisering av enheten.

(3) Oppnå høyfrekvent ytelse Silisiumkarbidmetningselektrondrifthastigheten er stor, to ganger den for silisium, noe som bestemmer at silisiumkarbidenheten kan oppnå høyere driftsfrekvens og høyere effekttetthet. Samtidig er energitapet av silisiumkarbidsubstratmateriale mindre. Ved samme spenning og konverteringsfrekvens, ved 400V, er energitapet til MOSFET-omformeren av silisiumkarbid omtrent 29 %-60 % av energitapet til silisiumbasert IGBT; ved 800V er energitapet til MOSFET-omformeren av silisiumkarbid omtrent 30 %-50 % av energitapet til silisiumbasert IGBT. Dermed er energitapet til silisiumkarbidenheter mye mindre.

180 Grit Silisium Carbide Powder Kundebesøk bilder

FAQ

Spørsmål: Er du en produsent?

A: Ja, vi er en produsent lokalisert i Anyang City, Henan-provinsen. Som en profesjonell leverandør av metallurgiske råvarer setter vi alltid produktkvalitet først. Vi bruker det mest avanserte utstyret og teknologien fra råvarekontroll, produksjonsprosess og kvalitetskontrollsystem for å sikre at produktene våre oppfyller industristandarder og oppfyller kundenes behov.

Spørsmål: Hvilke betalingsbetingelser godtar du?

A: For små bestillinger kan du betale med T/T, Western Union eller Paypal, nominell bestilling med T/T eller LC til vår firmakonto

Spørsmål: Hvordan kan jeg få en prøve av silisiumkarbidmedier?

A: Gratis prøver er tilgjengelig, men fraktkostnader vil være på kontoen din og kostnadene vil bli returnert til deg eller trekke fra bestillingen din i fremtiden.

Spørsmål: Hvordan bekrefte produktkvaliteten før du legger inn bestillinger?

A: Du kan få gratis prøver for noen produkter, du trenger bare å betale fraktkostnaden eller ordne en kurer til oss og ta prøvene. Du kan sende oss dine produktspesifikasjoner og forespørsler, vi vil produsere produktene i henhold til dine forespørsler.

Populære tags: silisiumkarbid media, Kina silisiumkarbid media produsenter, leverandører, fabrikk