Metall silisiumkarbid på høyt nivå
Produkter Beskrivelse
En prosessmetode for å trekke ut silisiumpulver med høy renhet ogSilisiumkarbidPulver fra avfallsoppslemming generert ved å kutte eller slipe silisiumskiver laget av silisium med en enkelt krystall, som inkluderer solid-væske-separasjon av avfallsoppslemmingen, fjerning av suspenderte midler og bindingsmidler fra avfallsmaterialet ved bruk av organisk løsningsmidler, videre flotvæske av faste sandmateriale for å oppnå silisatorpulver av visse remmerhet, ytterligere flotvæske, og bindingsmaterialet for å skaffe deg silisemateriale ved å bruke organisk flotvæske, og bindingsmaterialet for å skaffe deg avfallsmateriale ved å skaffe seg avfall, og den faste sandmaterialet for å skaffe silisemateriale ved bruk av avfall, og videre. Det separate silisiumpulveret for å oppnå silisiumpulver med høy renhet. Samtidig utføres magnetisk separasjon av det blandede pulveret av silisiumkarbid og metall oppnådd fra tyngdekraftsseparasjon for å oppnå rent silisiumkarbidpulver. Denne metoden kan effektivt gjenvinne silisium med høy renhet fra avfallsoppslemmingen som produseres under kutting og prosessering og prosessering av silisiumstang, samt silisiumkarbidmikropulver som brukes som å kutte slipemidler, med en høy utvinningseffektivitet, noe som gjør det til en praktisk teknologi som forvandler avfall til verdifulle ressurser og adresserer mangelen på høy-rådighet silisium rå materialer.
Produktparametere
| Farge | Svart |
| Hardhet | 9.2 MOHS |
| Kornform | Kantete |
| Smeltepunkt | 2100 C Min |
| Ekte tetthet | 3. 20-3. 25g\/cm3 |
| Bulk tetthet | 1. 2-1. 6g\/cm3 (avhenger av størrelsen) |
Produkter samarbeidsbilde

1.Silisiumkarbid, som et bredt båndgapsmateriale, har fordeler som høy nedbrytningsfeltstyrke, høy mettet elektrondrifthastighet og høy termisk ledningsevne, noe som muliggjør realisering av nye power-halvlederenheter for applikasjoner med høy spenning, høye kraft, høye frekvenser og høye temperaturer. Utviklingen av silisiumkarbidkraft halvlederenheter, inkludert silisiumkarbidkraftdioder, MOSFET -er, IGBT -er og tyristorer, skisserer gjeldende status og utsikter til deres anvendelse i kraftsystemer. Den raske utviklingen av høyspenning, silisiumkarbidkraft-halvlederenheter med stor kapasitet vil ha stor innvirkning på fremgangen av kraftsystemer.
Populære tags: Høynivå metall silisiumkarbid, Kina høyt nivå silisiumkarbidprodusenter, leverandører, fabrikk
Du kommer kanskje også til å like
Sende bookingforespørsel








